г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHB33N60E-GE3 Infineon Technologies

Артикул
SIHB33N60E-GE3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V D2PAK,
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
SIHB33
Standard Package
1,000
Other Names
SIHB33N60E-GE3IN
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ30AH
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF6802SDTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 16A SA, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16A 1.7W Surface Mount DIRECTFET™ SA
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRG4PH50SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее