г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPA20N60C3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Цена
1 078 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPA20N60C3XKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPA20N60C3IN,SP000216354,SPA20N60C3XTIN,SPA20N60C3XTIN-ND,SPA20N60C3,SPA20N60C3ININACTIVE,SPA20N60C3IN-NDR,SPA20N60C3X,SPA20N60C3IN-ND,SP000013659
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPA20N60
Power Dissipation (Max)
34.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4024H-117P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 11A 14W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRF2804L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPB22N03S4L-15
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT, N-Channel 30 V 22A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: FT150R12KE3G_B4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 700W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 200 A 700 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPD40DP06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3, P-Channel 60 V 4.3A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRF5851
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее