г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH50K10DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH50K10DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7PH50K10DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 35A
Power - Max
400 W
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
300 nC
Td (on/off) @ 25°C
90ns/340ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001532774
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL2203NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB, N-Channel 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF135B203
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3, N-Channel 135 V 129A (Tc) 441W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: AUIRFS8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BSC028N06NSSCATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее