г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP02N60C3 Infineon Technologies

Артикул
SPP02N60C3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPP02N60C3.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFSPP02N60C3,2156-SPP02N60C3
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL7486MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET, N-Channel 40 V 209A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Подробнее
Артикул: IPP80N04S404AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3, N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFZ44VPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB, N-Channel 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: BCR158
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее