г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

Артикул
2N7002H6327XTSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3, N-Channel 60 V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
57 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/2N7002H6327XTSA2.jpg
Other Names
2N7002H6327XTSA2CT,2N7002H6327XTSA2DKR,2N7002H6327XTSA2TR,SP000929182
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
2N7002
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SKW30N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BAS70-04E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRFB4137PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 38A TO220, N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BAS16-03WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 0.25A, 80V, Diode
Подробнее
Артикул: FS75R12KE3_B3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 355W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 100 A 355 W Chassis Mount Module
Подробнее