г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

Артикул
2N7002H6327XTSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3, N-Channel 60 V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
57 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/2N7002H6327XTSA2.jpg
Other Names
2N7002H6327XTSA2CT,2N7002H6327XTSA2DKR,2N7002H6327XTSA2TR,SP000929182
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
2N7002
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC117N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON, N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IPW60R125P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCW 61C E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPB123N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPP65R225C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FZ600R17KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 840A 3150W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1700 V 840 A 3150 W Chassis Mount Module
Подробнее