г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4868PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4868PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 263 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4868PBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10774 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001556792
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP4868
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML2502TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23, N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: FZ3600R12HP4HOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4930A, IGBT Module Trench Single Switch 1200 V 4930 A 19000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF520NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRF200P223
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC, N-Channel 200 V 100A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC037N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее