г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4868PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4868PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 263 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4868PBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10774 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001556792
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP4868
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF1405Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPG16N10S461ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: SPP80N06S2-09
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IPA80R900P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO220, N-Channel 800 V 6A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее