г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC093N15NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON, N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
668 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC093N15NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC093N15NS5ATMA1-ND,SP001279590,BSC093N15NS5ATMA1CT,BSC093N15NS5ATMA1DKR,BSC093N15NS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 107µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC093
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC30FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: ISC022N10NM6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH >=100V PG-TSON-8, N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IRFB3507
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223, N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: IKW40N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF2805PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее