г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC093N15NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON, N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
668 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC093N15NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC093N15NS5ATMA1-ND,SP001279590,BSC093N15NS5ATMA1CT,BSC093N15NS5ATMA1DKR,BSC093N15NS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 107µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC093
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4PH50S-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A TO247AD, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF6802SDTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 16A SA, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16A 1.7W Surface Mount DIRECTFET™ SA
Подробнее
Артикул: IRLIB9343PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP, P-Channel 55 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IGW75N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, IGBT Trench 650 V 120 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее