г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC093N15NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON, N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
668 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC093N15NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC093N15NS5ATMA1-ND,SP001279590,BSC093N15NS5ATMA1CT,BSC093N15NS5ATMA1DKR,BSC093N15NS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 107µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC093
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGR4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W DPAK, IGBT - 600 V 16 A 77 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSD214SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4P254S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 250V 98A 200W TO247AC, IGBT - 250 V 98 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRFP1405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее