г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS10R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FS10R06VE3B2BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 600V 16A 50W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 16 A 50 W Chassis Mount Module
Цена
3 473 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FS10R06VE3B2BOMA1.jpg
Other Names
FS10R06VE3_B2,INFINFFS10R06VE3B2BOMA1,2156-FS10R06VE3B2BOMA1,FS10R06VE3_B2-ND,SP000100311
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
FS10R06
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
40
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
550 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSP300H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4, N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRFP7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 172A TO247, N-Channel 60 V 172A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: IRFI530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF3711S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK, N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP023N10N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее