г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGP20N60H3 Infineon Technologies

Артикул
IGP20N60H3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGP20N60H3.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IGP20N60H3,IFEINFIGP20N60H3
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ31HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BUZ73L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3, N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSC340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5, N-Channel 80 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRG4PC40WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRGP20B120UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее

Ваша заявка принята