г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL024Z Infineon Technologies

Артикул
IRFL024Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, N-Channel 55 V 5.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
138 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL024Z.jpg
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001551986,*IRFL024Z,2266-IRFL024Z
Standard Package
80
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7494PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD80R1K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 4A TO252, N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPA80R360P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220, N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SPP04N60C2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IM393X6FXKLA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER MODULE 600V 20A MDIP22, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 20 A 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Подробнее