г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3705Z Infineon Technologies

Артикул
IRL3705Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL3705Z.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL3705Z
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRL2505L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO262, N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRLR6225PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: IQE006NE2LM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-4
Подробнее
Артикул: IRF4905LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPT60R080G7XTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF, N-Channel 650 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Подробнее