г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPW17N80C3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 035 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPW17N80C3FKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPW17N80C3XK,2156-SPW17N80C3FKSA1,SP000013369,SPW17N80C3IN,SPW17N80C3X,ROCINFSPW17N80C3FKSA1,SPW17N80C3XTIN-ND,SPW17N80C3IN-ND,SPW17N80C3IN-NDR,SPW17N80C3XTIN,SPW17N80C3
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPW17N80
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFB8405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCR555
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7832Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT6406WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: IPD70R360P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее