г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSL215CH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSL215CH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BSL215
Other Names
BSL215CH6327XTSA1DKR,SP001101000,BSL215CH6327XTSA1-ND,BSL215CH6327XTSA1TR,BSL215CH6327XTSA1CT
Power - Max
500mW
FET Type
N and P-Channel Complementary
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
PG-TSOP6-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 2.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FZ250R65KE3NPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 500A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 500 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6614TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET, N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: IPA60R170CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: FS200R12PT4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее