г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ086P03NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ086P03NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSZ086P03NS3 G-ND,BSZ086P03NS3 GDKR-ND,BSZ086P03NS3G,BSZ086P03NS3 GCT,BSZ086P03NS3 G,SP000473024,BSZ086P03NS3 GDKR,BSZ086P03NS3GATMA1DKR,BSZ086P03NS3 GTR-ND,BSZ086P03NS3GATMA1TR,BSZ086P03NS3 GCT-ND,BSZ086P03NS3GATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ086
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±25V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSS215PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3, P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKB15N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFB3206PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3709ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB, N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR8726TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, N-Channel 30 V 86A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее