г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ086P03NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ086P03NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSZ086P03NS3 G-ND,BSZ086P03NS3 GDKR-ND,BSZ086P03NS3G,BSZ086P03NS3 GCT,BSZ086P03NS3 G,SP000473024,BSZ086P03NS3 GDKR,BSZ086P03NS3GATMA1DKR,BSZ086P03NS3 GTR-ND,BSZ086P03NS3GATMA1TR,BSZ086P03NS3 GCT-ND,BSZ086P03NS3GATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ086
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±25V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SIHB33N60E-GE3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V D2PAK,
Подробнее
Артикул: IPB180P04P4L02ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7, P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: IRFR4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK, N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRFR8405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, N-Channel 40 V 100A (Tc) 163W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: SPP18P06PHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее