г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD60R380C6 Infineon Technologies

Артикул
IPD60R380C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD60R380C6.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 100 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
IPD60R380C6BTMA1,IPD60R380C6INCT,SP000660628,IPD60R380C6INDKR,IPD60R380C6INTR
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,500
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20KDSTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 16 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPD06N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Подробнее
Артикул: IPP020N08N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: AUIRF7316QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V - 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IRGP4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A 206W TO247AC, IGBT - 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4BC30F
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее