г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Комплектующие Infineon Technologies

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
145Артикул:IPW65R280E6
Описание:650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
248 руб.
146Артикул:SKP04N60
Описание:IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 9.4 A 50 W Through Hole PG-TO220-3-1
152 руб.
147Артикул:BAV70W
Описание:HIGH SPEED SWITCHING DIODE, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 75 V 150mA Surface Mount SC-70, SOT-323
3 руб.
148Артикул:IPB80N06S2LH5
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
131 руб.
149Артикул:IRFS30067PPBF
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
413 руб.
150Артикул:BAS40B5003
Описание:RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
5 руб.
151Артикул:IPI80CN10NG
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
71 руб.
152Артикул:SPP80N06S209
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
119 руб.
153Артикул:SPD15N06S2L64
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
43 руб.
154Артикул:IPG20N06S2L-35AATMA1
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
84 руб.
155Артикул:IKW40N60H3
Описание:IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
382 руб.
156Артикул:SPW20N60C3
Описание:SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
463 руб.
157Артикул:IKW50N60H3
Описание:IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
420 руб.
158Артикул:SPA20N60C3
Описание:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
408 руб.
159Артикул:SGW30N60
Описание:IGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT
525 руб.
160Артикул:BFP450
Описание:RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST, RF Transistor
34 руб.
161Артикул:BAT165
Описание:BAT165 - RECTIFIER DIODE, SCHOTT, Diode Schottky 40 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
12 руб.
162Артикул:IKW50N60T
Описание:IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
512 руб.
163Артикул:IHW20N135R3
Описание:REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT, IGBT
363 руб.
164Артикул:IKW30N60T
Описание:IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
343 руб.
165Артикул:SGW20N60
Описание:IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
358 руб.
166Артикул:SPW35N60C3
Описание:SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
1 020 руб.
167Артикул:IPW60R041C6
Описание:600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET,
1 347 руб.
168Артикул:IPW65R019C7
Описание:75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M, N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
2 246 руб.
169Артикул:SPW16N50C3
Описание:SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE,
319 руб.
170Артикул:BBY57-02V
Описание:VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
9 руб.
171Артикул:SPP11N80C3
Описание:COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
205 руб.
172Артикул:BFP540
Описание:RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST, RF Transistor
29 руб.
173Артикул:IKW75N60H3
Описание:IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
686 руб.
174Артикул:DD500S33HE3
Описание:DD500S33 - RECTIFIER DIODE MODUL, Diode
153 685 руб.
175Артикул:IDP30E60
Описание:IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
129 руб.
176Артикул:IPN50R3K0CE
Описание:SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
21 руб.
177Артикул:IPD30N06S2L-23
Описание:IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT,
65 руб.
178Артикул:FZ1600R12HP4
Описание:FZ1600R12 - IGBT MODULE, IGBT
113 891 руб.
179Артикул:IPD060N03LG
Описание:OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
47 руб.
180Артикул:IPP60R199CP
Описание:IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN,
288 руб.
Показать еще
Комплектующие Infineon Technologies, c 145 по 180,заказные номера IPW65R280E6 ... IPP60R199CP,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET, IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN,

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята