г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Infineon Technologies

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
73Артикул:SPP04N60S5
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
105 руб.
74Артикул:BBY57-02VH6327
Описание:VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
26 руб.
75Артикул:BCR583
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
7 руб.
76Артикул:BFP740E6327
Описание:RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-SOT343-4
53 руб.
77Артикул:BUZ355
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
388 руб.
78Артикул:IPA65R600C6
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
103 руб.
79Артикул:SGP30N60
Описание:IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole TO-220AB
326 руб.
80Артикул:BC849CW
Описание:BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
3 руб.
81Артикул:IPD60R600CP
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
105 руб.
82Артикул:IPI075N15N3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
498 руб.
83Артикул:IPP60R520C6
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
110 руб.
84Артикул:IPW60R299CP
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
264 руб.
85Артикул:SPB03N60S5
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
71 руб.
86Артикул:SGW15N120
Описание:IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1
463 руб.
87Артикул:BCW61A
Описание:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
3 руб.
88Артикул:SPB04N60C3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
110 руб.
89Артикул:BCX54-10
Описание:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
9 руб.
90Артикул:IHW30N90T
Описание:IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 900 V 60 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
422 руб.
91Артикул:BAS 16U E6327
Описание:RECTIFIER DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
9 руб.
92Артикул:BCR133WH6327
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
3 руб.
93Артикул:BCR142E6327
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
3 руб.
94Артикул:BCR183S
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
5 руб.
95Артикул:BDP956
Описание:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
184 руб.
96Артикул:FF11MR12W1M1PB11BPSA1
Описание:MOSFET MODULE 1200V DUAL, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tj) 20mW Chassis Mount AG-EASY1B-2
35 340 руб.
97Артикул:IRF7413TRPBF-1
Описание:MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
98Артикул:SPA08N50C3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
129 руб.
99Артикул:SPP02N80C3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
69 руб.
100Артикул:SPP11N65C3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
233 руб.
101Артикул:SPP12N50C3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
179 руб.
102Артикул:SPW11N60C3
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
286 руб.
103Артикул:FS10R06VL4_B2
Описание:IGBT MODULE, IGBT Module
2 420 руб.
104Артикул:FZ1800R12KL4C
Описание:IGBT MODULE, IGBT Module
71 руб.
105Артикул:IRFL4310PBF
Описание:MOSFET N-CH 100V SOT223, N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount -
34 руб.
106Артикул:BCR191
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
3 руб.
107Артикул:BCR146
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
3 руб.
108Артикул:IPB65R420CFD
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
129 руб.
Показать еще
Infineon Technologies, c 73 по 108,заказные номера SPP04N60S5 ... IPB65R420CFD,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные N-CHANNEL POWER MOSFET, N-CHANNEL POWER MOSFET,

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята