г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Infineon Technologies

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
253Артикул:BAT15-099R
Описание:MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
33 руб.
254Артикул:IPW60R199CP
Описание:16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M,
398 руб.
255Артикул:BSM150GT120DN2BOSA1
Описание:IGBT MODULE 1200V, IGBT Module
256Артикул:BUZ30AH
Описание:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
117 руб.
257Артикул:IKW25N120T2
Описание:IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
525 руб.
258Артикул:IPP60R165CP
Описание:21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M,
408 руб.
259Артикул:BSC120N03LSG
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
28 руб.
260Артикул:IPT010N08NM5ATMA1
Описание:TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8, N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
1 480 руб.
261Артикул:BAS70-07W
Описание:SCHOTTKY DIODE - HIGH SPEED SWIT, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SC-82A, SOT-343
5 руб.
262Артикул:BFR182E6327
Описание:BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
16 руб.
263Артикул:BSC042N03LSG
Описание:BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
59 руб.
264Артикул:BSC0802LSATMA1
Описание:MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON, N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
465 руб.
265Артикул:BSC080N03MSG
Описание:BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
45 руб.
266Артикул:BSZ058N03MSG
Описание:BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
53 руб.
267Артикул:BSZ0702LSATMA1
Описание:MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
181 руб.
268Артикул:BSZ0803LSATMA1
Описание:MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON, N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
200 руб.
269Артикул:BSZ088N03MSG
Описание:BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
52 руб.
270Артикул:BUZ30AH3045A
Описание:BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER,
117 руб.
271Артикул:DD1200S17H4_B2
Описание:DD1200S17 - RECTIFIER DIODE MODU, Diode
166 140 руб.
272Артикул:FF450R08A03P2XKSA1
Описание:IGBT MODULE, Power Driver Module IGBT Half Bridge 750 V 450 A Module
45 876 руб.
273Артикул:FS500R17OE4DB81BPSA1
Описание:MEDIUM POWER ECONO, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1700 V 500 A 20 mW Chassis Mount AG-ECONOPP
76 руб.
274Артикул:IGW15T120
Описание:IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
317 руб.
275Артикул:IKB15N60T
Описание:IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
177 руб.
276Артикул:IKD15N60RC2ATMA1
Описание:IKD15N60RC2ATMA1, IGBT Trench Field Stop 600 V 28 A 115.4 W Surface Mount PG-TO252-3
286 руб.
277Артикул:IKZA50N65RH5XKSA1
Описание:INDUSTRY 14, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-4-3
1 581 руб.
278Артикул:IKZA75N65SS5XKSA1
Описание:INDUSTRY 14, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 395 W Through Hole PG-TO247-4-3
2 797 руб.
279Артикул:IMBG120R045M1HXTMA1
Описание:SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
3 286 руб.
280Артикул:IPB80N04S2-H4
Описание:IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT,
257 руб.
281Артикул:IPD075N03LG
Описание:OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
43 руб.
282Артикул:IPD78CN10NG
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
36 руб.
283Артикул:IPI60R190C6
Описание:COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
265 руб.
284Артикул:IPN80R2K0P7
Описание:IPN80R2K0 - 800V COOLMOS N-CHANN,
59 руб.
285Артикул:IPW60R160P6
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
343 руб.
286Артикул:IPW65R041CFD7XKSA1
Описание:650V FET COOLMOS TO247, N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
2 117 руб.
287Артикул:IRF150P221AKMA1
Описание:MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
1 111 руб.
288Артикул:IRLML2803TRPBF-1
Описание:MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
78 руб.
Показать еще
Infineon Technologies, c 253 по 288,заказные номера BAT15-099R ... IRLML2803TRPBF-1,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята