Infineon Technologies
Есть вопросы? Напишите нам.
Каталог товаров
Артикул
Описание
Артикул:SGP07N120XKSA1
456 руб.
Артикул:SI3443DVTR
Артикул:SMBT3904E6327HTSA1
50 руб.
Артикул:SMBT3906E6327HTSA1
50 руб.
Артикул:SMBTA42E6327HTSA1
11 руб.
Артикул:SPA11N80C3XKSA2
568 руб.
Артикул:SPA15N60C3XKSA1
Описание:MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
711 руб.
Артикул:SPB08P06P
Артикул:SPB80P06P
889 руб.
Артикул:SPD06N80C3BTMA1
382 руб.
Артикул:SPI80N03S2L-06
Артикул:SPN01N60C3
Артикул:SPN04N60S5
Артикул:SPP15P10PLHXKSA1
315 руб.
Артикул:SPP18P06PHXKSA1
Описание:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
300 руб.
Артикул:SPP20N60S5XKSA1
1 133 руб.
Артикул:SPP21N10
Артикул:SPP80N06S2-H5
Артикул:SPU08P06P
Артикул:SPU11N10
Артикул:SPW16N50C3FKSA1
761 руб.
Артикул:TD320N16SOFHPSA1
16 097 руб.
Артикул:TZ530N36KOFHPSA1
132 435 руб.
Артикул:BFS17WH6327XTSA1
Описание:RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3, RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW Surface Mount SOT-323
11 руб.
Артикул:BSZ160N10NS3GATMA1
300 руб.
Артикул:IGCM10F60GAXKMA1
Описание:IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
1 912 руб.
Артикул:IPB020N10N5ATMA1
1 335 руб.
Артикул:IPDD60R102G7XTMA1
Описание:MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10, N-Channel 600 V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
734 руб.
Артикул:IPW60R045CPFKSA1
3 517 руб.
Артикул:IRF3704PBF
Артикул:IRF3710ZSTRLPBF
336 руб.
Артикул:IRF5810TRPBF
Артикул:IRF60B217
289 руб.
Артикул:IRF7306PBF
Описание:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
189 руб.
Артикул:IRF7453PBF
909 руб.
Артикул:IRF7842TRPBF
308 руб.
Infineon Technologies, c 1873 по 1908,заказные номера SGP07N120XKSA1 ... IRF7842TRPBF,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1 MOSFET N-CH 40V 18A 8SO, N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1 MOSFET N-CH 40V 18A 8SO, N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO