г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Комплектующие Infineon Technologies

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
73Артикул:IPB65R420CFD
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
129 руб.
74Артикул:SGW30N60HS
Описание:IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole PG-TO247-3-1
427 руб.
75Артикул:BAT15-05W
Описание:RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE, RF Diode
28 руб.
76Артикул:BFN26E6327
Описание:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
7 руб.
77Артикул:IDT12S60C
Описание:RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
732 руб.
78Артикул:BAR6403WE6327
Описание:RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SOD323-2
12 руб.
79Артикул:BAS16-03WE6327
Описание:RECTIFIER DIODE, 0.25A, 80V, Diode
3 руб.
80Артикул:BAS7004E6327
Описание:SCHOTTKY DIODE, Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
10 руб.
81Артикул:BC817-16W
Описание:BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
3 руб.
82Артикул:BCP69E6327
Описание:POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
9 руб.
83Артикул:BCR166E6327
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
3 руб.
84Артикул:BCR166W
Описание:BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
5 руб.
85Артикул:BCW67C
Описание:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
5 руб.
86Артикул:BCX68-16
Описание:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
9 руб.
87Артикул:BF-517
Описание:RF TRANSISTOR, NPN, RF Transistor
7 руб.
88Артикул:BF20-40E6814
Описание:RF N-CHANNEL MOSFET,
14 руб.
89Артикул:BF 2040 E6814
Описание:RF N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet
14 руб.
90Артикул:BF2040E6814
Описание:RF N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet N-Channel 5 V 15 mA 800MHz 23dB - PG-SOT-143-3D
14 руб.
91Артикул:BFP450E6327
Описание:RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
47 руб.
92Артикул:BFR193WH6327
Описание:HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
10 руб.
93Артикул:IDB18E120
Описание:RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V, Diode Standard 1200 V 31A (DC) Surface Mount 14-TSSOP
164 руб.
94Артикул:IDH08S120
Описание:RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
1 058 руб.
95Артикул:IHW40T60
Описание:IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 303 W Through Hole PG-TO247-3-1
396 руб.
96Артикул:IPA086N10N3 G
Описание:OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
98 руб.
97Артикул:IPB051NE8NG
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
262 руб.
98Артикул:IPB26CN10N
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
69 руб.
99Артикул:IPD12CN10N
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
162 руб.
100Артикул:IPD160N04LG
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
33 руб.
101Артикул:IPI023NE7N3G
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
363 руб.
102Артикул:IPN80R1K4P7
Описание:N-CHANNEL POWER MOSFET,
57 руб.
103Артикул:IPW60R280C6
Описание:MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
234 руб.
104Артикул:IRL60SC216ARMA1
Описание:MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7, N-Channel 60 V 324A (Tc) 2.4W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
723 руб.
105Артикул:IRLML0100TRPBF-1
Описание:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23, N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
106Артикул:ISC045N03L5SATMA1
Описание:MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
119 руб.
107Артикул:SGP20N60HS
Описание:IGBT, 36A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 36 A 178 W Through Hole PG-TO220-3-1
215 руб.
108Артикул:SKW07N120
Описание:IGBT, 16.5A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO247-3-1
610 руб.
Показать еще
Комплектующие Infineon Technologies, c 73 по 108,заказные номера IPB65R420CFD ... SKW07N120,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные N-CHANNEL POWER MOSFET, IGBT, 16.5A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO247-3-1

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята