г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Комплектующие Infineon Technologies

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
181Артикул:IPW60R070P6
Описание:600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
698 руб.
182Артикул:IPA60R190E6
Описание:600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET, Mosfet Array
265 руб.
183Артикул:IPD80N04S3-06
Описание:OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
96 руб.
184Артикул:IPW60R099CP
Описание:MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
715 руб.
185Артикул:SPA11N60C3
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
251 руб.
186Артикул:IRF150P220AKMA1
Описание:MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3, N-Channel 150 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
1 691 руб.
187Артикул:FF6MR12KM1BOSA1
Описание:MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
78 231 руб.
188Артикул:IKW75N60TA
Описание:IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR, IGBT
923 руб.
189Артикул:IPD50R500CE
Описание:IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN,
59 руб.
190Артикул:IPD50R800CE
Описание:IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
43 руб.
191Артикул:BFR183E6327
Описание:BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
12 руб.
192Артикул:BBY51-03W
Описание:VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
9 руб.
193Артикул:FS200R12PT4
Описание:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
32 970 руб.
194Артикул:IPW60R125CP
Описание:25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M,
532 руб.
195Артикул:IPW60R125P6
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
358 руб.
196Артикул:SPD03N60C3
Описание:MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
90 руб.
197Артикул:FF150R12ME3G
Описание:IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
14 868 руб.
198Артикул:BSC026N02KSG
Описание:BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P,
114 руб.
199Артикул:BSC0302LSATMA1
Описание:MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON, N-Channel 120 V 12A (Ta), 99A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
470 руб.
200Артикул:BSC030N03LSG
Описание:BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
62 руб.
201Артикул:BSZ12DN20NS3G
Описание:BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P,
90 руб.
202Артикул:FP30R06KE3
Описание:FP30R06 - IGBT MODULE, IGBT
9 463 руб.
203Артикул:IGP20N60H3
Описание:IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
157 руб.
204Артикул:IGW50N60H3
Описание:IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
381 руб.
205Артикул:IHW40N60R
Описание:IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, Bipolar (BJT) Transistor
396 руб.
206Артикул:IKW25T120
Описание:IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
567 руб.
207Артикул:IPA60R180C7
Описание:9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS, N-Channel 600 V 9A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
241 руб.
208Артикул:IPA80R310CE
Описание:IPA80R310 - 800V COOLMOS N-CHANN,
267 руб.
209Артикул:IPD65R600E6
Описание:COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
114 руб.
210Артикул:IPP037N08N3 G
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
146 руб.
211Артикул:IPP037N08N3G
Описание:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
140 руб.
212Артикул:IPP220N25NFD
Описание:MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3, N-Channel 250 V 61A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
572 руб.
213Артикул:IAUS260N10S5N019TATMA1
Описание:MOSFET_(75V 120V(, N-Channel 100 V 260A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
1 343 руб.
214Артикул:IPP050N10NF2SAKMA1
Описание:TRENCH >=100V, N-Channel 100 V 19.4A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
575 руб.
215Артикул:IPTG011N08NM5ATMA1
Описание:TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8, N-Channel 80 V 42A (Ta), 408A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
1 597 руб.
216Артикул:IPTG014N10NM5ATMA1
Описание:TRENCH >=100V PG-HSOG-8, N-Channel 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
1 622 руб.
Показать еще
Комплектующие Infineon Technologies, c 181 по 216,заказные номера IPW60R070P6 ... IPTG014N10NM5ATMA1,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 TRENCH >=100V PG-HSOG-8, N-Channel 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята